题目: Epitaxial thin film growth model and its numerical simulation

报告人：Cheng Wang 教授（美国马萨诸塞大学达特茅斯分校）

时间：2026年07月14日（星期二）10:00 —11:30

地点：理学院楼308

主办单位：理学院

报告人简介:

王成（Cheng Wang），美国马萨诸塞大学达特茅斯分校（University of Massachusetts Dartmouth）数学系教授。1993年毕业于中国科学技术大学，获数学学士学位；2000年毕业于美国天普大学（Temple University），获博士学位，导师为Jian-Guo Liu教授。2000—2003年在美国印第安纳大学从事博士后研究，合作导师为Roger Temam教授和Shouhong Wang教授；2003—2008年任美国田纳西大学诺克斯维尔分校助理教授；2008年加入美国马萨诸塞大学达特茅斯分校任助理教授，后晋升为副教授、教授。王成教授主要从事偏微分方程数值算法与数值分析研究，致力于发展稳定、高效、高精度的偏微分方程数值计算方法。在相关领域国际重要学术期刊发表论文140余篇，论文总引用9000余次。现任国际SCI期刊 Numerical Mathematics: Theory, Methods and Applications 编委。

摘要：

A nonlinear PDE model of thin film growth model, with or without slope selection, are presented in the talk. A global in time solution with Gevrey regularity is established for the one with slope selection. For the numerical simulation, an idea of convex-concave splitting of the corresponding physical energy is applied, which gives to an implicit treatment for the convex part and an explicit treatment for the concave part. That in turn leads to a numerical scheme with a non-increasing energy. A first order accurate linear splitting and a second order accurate linear iteration algorithm are also considered, with some numerical simulation results presented.