题目: 长余辉材料设计合成及其在信息存储领域的应用研究

主讲人: 高当丽 教授

时间: 2025年7月11日（星期五）10:00

地点: 理学院308

主办单位：理学院

主讲人简介：

高当丽，西安建筑科技大学理学院教授，陕西省青年科技新星，陕西省百名优秀青年科技新星，建大首批“雁塔学者”。主要从事无机发光材料的合成、性能、理论计算及其应用方面的研究。目前，已在Chemical Engineering Journal、Laser & Photonics Reviews、Advanced Optical Materials、Applied Physics Letters,《物理学报》等期刊发表学术SCI论文100余篇。授权国家发明专利5项。主持包括国家自然科学基金、陕西省青年科技新星计划等科研项目10余项。获省级、厅级科技奖励5项。为Nature Communication, Science Advances, Light: Science & Applications, Advanced Materials等60余个国际期刊的审稿专家。详见主页：https://orcid.org/0000-0001-5907-6817.

摘要：

21 世纪人工智能与大数据时代，5G、云计算、物联网等前沿技术加速迭代，全球数据产生规模的增速已达存储容量扩展速率的三倍。无机余辉材料凭借陷阱捕获-释放载流子的特性，成为第四代光信息存储的最佳候选材料之一。相较于传统基于光热凹槽效应的光存储材料，基于光量子效应的激光点阵存储的余辉材料，展现出卓越的能源效率和高容量潜力。因此，开展高密度陷阱余辉材料的设计合成、激发智能响应荧光特性及机理研究，既契合国家战略需求与碳达峰目标，也对新一代高容量、低能耗余辉材料的发展及信息存储技术的突破具有重要科学价值。